的。

　　2013年的华夏和西方的关系还不错，而且当时世界的矛盾点在别的方向，刚好要拉拢东方世界，这一切也还顺理成章，再晚就难了。

　　拿到诺奖后，顾辙在深耕了八年石墨烯之余，终于渐渐把科技树爬到了“用单层原子/分子厚度的二维平面材料,配合化学沉积法制造芯片”这一领域。

　　顾辙毫无疑问选用了他前世淫浸多年的二维二硫化钼技术。

　　具体的操作,其实也跟之前说的“打印电离沉积膜、配合粉末冶金烧结”搞3D打印钛合金差不多。

　　这一次是需要用光刻/蚀刻设备先打印刻出沉积二硫化钼的特殊电离沉积膜材料。然后有了吸附二硫化钼游离颗粒的膜，才能吸引二硫化钼沉积出一层层分子的厚度,最后增材加工成芯片。

　　这种技术并不能完全摆脱对光刻机的依赖，只是原本的旧科技要用光刻机直接来刻芯片本身、而现在是用光刻机来刻沉积芯片的膜。

　　这种区别，就好比机加工领域，直接拿机床切削加工零件，和先用机床切削加工模具、再用模具去塑造挤压零件差不多。

　　前者每一个零件都要切一遍，后者切出模具后可以反复用。

　　化学沉积法造芯片也是这样，你一开始的沉积膜还是需要5纳米3纳米那种高精度光刻机来刻的，但沉积膜刻好了之后可以反复用，随着工艺进步，一次膜可以反复沉积几十几百甚至更多片芯片。

　　所以，这虽然不能完全绕过光刻机，却可以打打降低对光刻机的依赖频次。原本刻一次生产一片芯片，现在刻一次可以生产几百片芯片。

　　如果光刻机有被制裁断供的风险，还可以抢着偷偷租一个先赶工刻上几千几万个模具囤着。后续再拿库存的模具慢慢沉积生产芯片。

　　当时国际贸易形势还没恶化，全球化也还氛围不错。顾辙的新科技虽然引起震动，但也没有引发对抗。

　　顾辙2014年拿出来的第一代二硫化钼芯片，其实也才5纳米左右的工艺，比后世2020年代的二硫化钼芯片差远了。

　　顾辙还有更好的工艺，但他不急于拿出来。一来是还需要研发时间，二来是他深知有些底牌彻底拿出来后、竞争对手就没那么恐惧了。

　　有些时候，模糊的“我现在虽然还不如你，但未来肯定要干掉你”的预期，才是最让人惊慌失措的，如果刀子已经砍到头上，对方反而会脑子一热心一横跟你干到底。

　　所以，顾辙的新技术拿出来后，还是立刻引起了轰动，湾积电和三星的股价都因此短暂暴跌。

　　ASML日子也不好过，世界各国评估机构普遍调低了未来微电子行业对光刻机的需求量和需求持续时间。

　　然后顾辙就趁着这个时候，抛出橄榄枝谈判相互的技术授权、生产光刻机所需的其他工业母

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